#内存布局

RAMN ECU 具有三个主要的内存区域：

• FLASH（根据微控制器的不同，为 256kB 或 512kB），起始地址为 0x08000000。
• INSECURE_RAM（192kB，对应于 SRAM1），起始地址为 0x20000000。
• RAM（64kB，对应于 SRAM2），起始地址为 0x20030000。

如果内存不足，请参阅 理解 RAMN 的内存。

#内存保护

可以临时保护 FLASH 和 RAM 免受 JTAG 内存访问的影响（例如，如果您想在 CTF 比赛中使用 RAMN 并需要保护其内存，但又不想永久锁定您的设备）。 您可以使用 RDP 选项字节（级别 1），该字节可随时撤销，以允许 ECU 重新编程。 当临时内存保护被移除时，固件会自动擦除。

然而，在不永久禁用 JTAG（RDP 保护级别 2）的情况下，无法保护 INSECURE_RAM。

如果要启用内存保护，请参阅内存保护 。

#FLASH

RAMN 的 ECU 利用了 STM32L5 的双存储区架构。FLASH 存储器的内存布局如下所示（如果微控制器仅有 256kB 内存，则仅存在左侧部分）。

RAMN 车载电子控制单元的内存布局

ECU 固件每次仅使用两个闪存存储区中的一个。该存储区被分为两部分：

• 固件区域，用于存放当前正在执行的代码。
• EEPROM 模拟区域，用于存储诸如 VIN、DTC 及其他动态数据。

当通过 UDS 对 ECU 进行重新编程时（ 而非通过其他接口 ），ECU 实际上会将新固件以及当前的 EEPROM 复制到非活动存储区。一旦复制完成，ECU 将切换 SWAP_BANK 选项字节，以交换两个存储区，从而有效地更新 ECU 正在运行的固件。

如果您不需要 EEPROM 模拟，并希望将整个闪存用于自己的应用程序，可以在 ramn_config.h 中禁用 ENABLE_EEPROM_EMULATION 标志。然后，您可以修改 STM32L552CETX_FLASH.ld,并将 LENGTH = 248K 替换为 LENGTH = 256K。

同样地，如果您不需要 UDS 重新编程，并且您的微控制器具有 512kB 闪存（微控制器型号以 CET6 结尾），您也可以在 ramn_config.h 中禁用 ENABLE_UDS_REPROGRAMMING 标志，并使用 LENGTH = 512K。此外，您还需要确保在 STM32CubeProgrammer 中取消选中 SWAP_BANK 选项字节（参见预期选项字节 )。

当您禁用 ENABLE_UDS_REPROGRAMMING 标志时，ECU 将不再接受 UDS 重新编程，但仍然可以通过 JTAG 或 STM32 引导加载程序接口（位于 scripts/STbootloader 中）对 ECU 进行重新编程。

#RAM

#区域

STM32L5 微控制器具有两个 RAM 区域：SRAM1 和 SRAM2。 SRAM1 无法被保护 ，除非 JTAG 被永久禁用，因此除非您愿意永久锁定设备，否则它始终是可读的。然而，SRAM2 可以被临时保护。

因此，RAMN 定义了 RAM 和 INSECURE_RAM 区域。默认情况下，变量会被放置在 RAM 区域中，但该区域仅有 64kB。为了避免该区域过快被填满，那些体积较大但不存储关键数据的变量会被放置在 INSECURE_RAM 区域。这通常适用于 USB、SPI 和 CAN 缓冲区，因为这些缓冲区仅存储通过访问相应接口即可读取的数据。具体而言，可以通过在变量声明中添加 __attribute__ ((section (".buffers"))) 来实现这一点。

#堆与栈

由于 RAMN 依赖于 FreeRTOS，因此存在两个堆和多个栈：

• STM32 主堆和栈 （._user_heap_stack, 定义在 STM32L552CETX_FLASH.ld 中）。
• FreeRTOS 堆 （.bss 中的 ucHeap），用于动态分配任务。
• FreeRTOS 栈 （Timer_Stack.0、Idle_stack.2，以及每个任务的独立栈 ,位于 .bss 中）。

如果出现内存不足或栈溢出的情况，请务必确定哪些堆/栈可以缩小，哪些堆/栈需要扩大。

#内存分析

您可以通过构建项目并选择 “窗口” > “显示视图” > “构建分析器” 来观察 RAMN 的内存使用情况（可能需要先选择 “文件” > “刷新”,然后在构建分析器窗口中点击刷新图标以正确显示）。这将向您展示当前内存的使用百分比。

您可以选择“内存详情”选项卡，以更好地了解哪些变量正在占用空间。如果您需要更多内存，在理解 RAMN 的内存部分中提供了可减小变量大小的建议。